IRFB52N15DPBF vs IRFS52N15DPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB52N15DPBF بذریعہ Infineon اور IRFS52N15DPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB52N15DPBF IRFS52N15DPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 204 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 32 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) 60 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 230 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55C to +175C
Package Type TO-220AB (through-hole) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell) HEXFET (Planar Cell)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Pb-free PBF suffix) —
Qualification Standard Industrial market (per IR/Infineon) JEDEC
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 51 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=10V — 32 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 230 W
پیکیج — D2PAK (TO-263) Surface Mount
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں