IRFB7534PBF vs FDP030N06 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB7534PBF بواسطة Infineon و FDP030N06 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB7534PBF FDP030N06
العلامة التجارية Infineon onsemi
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7534PBF —
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) PowerTrench (Trench)
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
العلبة TO-220AB TO-220-3 (3+Tab)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
مستوى MSL MSL1 (unlimited floor life) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر