IRFB7534PBF vs FDP030N06 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB7534PBF توسط Infineon و FDP030N06 توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB7534PBF FDP030N06
برند Infineon onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7534PBF —
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) PowerTrench (Trench)
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
بسته‌بندی TO-220AB TO-220-3 (3+Tab)
نوع نصب Through Hole Through Hole
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
وضعیت RoHS Compliant (PbF suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
سطح MSL MSL1 (unlimited floor life) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت