IRFP260MPBF vs IRFP250MPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP260MPBF بواسطة Infineon و IRFP250MPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFP260MPBF IRFP250MPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $2.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
العلبة / الحالة TO-247AC (3-lead through-hole) TO-247AC (3-pin + tab)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes Yes
مستوى MSL Not Applicable (through-hole) 1 (unlimited)
Part Number — IRFP250MPBF
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
عدد الدبابيس — 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر