IRFP260MPBF vs IRFP250MPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP260MPBF מאת Infineon ו IRFP250MPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP260MPBF IRFP250MPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $2.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז / Case TO-247AC (3-lead through-hole) TO-247AC (3-pin + tab)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes Yes
רמת MSL Not Applicable (through-hole) 1 (unlimited)
Part Number — IRFP250MPBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מספר פינים — 3

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר