IRFP260MPBF vs IRFP250MPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFP260MPBF tarafından Infineon ve IRFP250MPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFP260MPBF IRFP250MPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket / Kas TO-247AC (3-lead through-hole) TO-247AC (3-pin + tab)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes Yes
MSL Seviyesi Not Applicable (through-hole) 1 (unlimited)
Part Number — IRFP250MPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Pin Sayısı — 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin