IRFR1018ETRPBF vs IRFR2405TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR1018ETRPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR1018ETRPBF IRFR2405TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 70 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
العلبة TO-252AA (D-Pak) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
حالة RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 1
Avalanche Rated Yes Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
خالٍ من الهالوجين — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر