IRFR1018ETRPBF vs IRFR2405TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR1018ETRPBF מאת Infineon ו IRFR2405TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR1018ETRPBF IRFR2405TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 70 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז TO-252AA (D-Pak) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 1
Avalanche Rated Yes Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר