IRFR1018ETRPBF vs IRFR2405TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR1018ETRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR2405TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR1018ETRPBF IRFR2405TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 70 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج TO-252AA (D-Pak) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 1
Avalanche Rated Yes Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
ہیلوجن فری — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں