IRFR1205TRPBF vs BSP88H6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR1205TRPBF بواسطة Infineon و BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR1205TRPBF | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W at Ta=25 C |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Configuration | — | Single |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |