IRFR1205TRPBF vs BSP88H6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR1205TRPBF द्वारा Infineon और BSP88H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR1205TRPBF BSP88H6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
ऑपरेटिंग तापमान — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

डेटाशीट और संसाधन

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