IRFR220NPBF vs IRFR2405TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR220NPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة / الحالة | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| العلبة | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |