IRFR220NPBF vs IRFR2405TRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR220NPBF بذریعہ Infineon اور IRFR2405TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR220NPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج / کیس | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| پیکیج | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |