IRFR4620TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR9120NTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR4620TRLPBF | IRFR9120NTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFR4620TRLPBF | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 24 A at Tc | -6.6 A (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 78 mOhm max at VGS=10V | 480 mOhm max @ VGS = -10 V |
| Gate Charge (Qg) | 25 nC typical | 18 nC (typ) |
| Power Dissipation (PD) | 144 W at Tc | 40 W (Tc) |
| Technology | IR MOSFET | IR MOSFET (planar) |
| العلبة / الحالة | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| Lead Free | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| مستوى MSL | 1 (Unlimited) | 1 |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (Tj) |
| العلبة | — | TO-252AA (DPAK) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free | — | Yes |