IRFR4620TRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4620TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR9120NTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR4620TRLPBF IRFR9120NTRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc -6.6 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) 25 nC typical 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc 40 W (Tc)
Technology IR MOSFET IR MOSFET (planar)
पैकेज / केस TO-252AA (DPAK) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +175C —
Lead Free Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free)
MSL स्तर 1 (Unlimited) 1
Transistor Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (Tj)
पैकेज — TO-252AA (DPAK)
पिन काउंट — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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