IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9024NTRLPBF بواسطة Infineon و IRF7205PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR9024NTRLPBF | IRF7205PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | 70 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR MOSFET (HEXFET, planar cell) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55 C to +150 C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | — |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -4.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1 V to -3 V (typical) |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| العلبة | — | SO-8 |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| حالة RoHS | — | Compliant (Pb-free per PBF suffix) |
| Generation | — | Fourth Generation HEXFET |