IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR9024NTRLPBF מאת Infineon ו IRF7205PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR9024NTRLPBF | IRF7205PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | 70 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR MOSFET (HEXFET, planar cell) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55 C to +150 C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | — |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -4.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1 V to -3 V (typical) |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| מארז | — | SO-8 |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| סטטוס RoHS | — | Compliant (Pb-free per PBF suffix) |
| Generation | — | Fourth Generation HEXFET |