IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR9024NTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF7205PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR9024NTRLPBF IRF7205PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm 70 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET (HEXFET, planar cell)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
Continuous Drain Current (ID) — -4.6 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1 V to -3 V (typical)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
پیکیج — SO-8
Power Dissipation (TA=25C) — [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C]
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free per PBF suffix)
Generation — Fourth Generation HEXFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں