IRFS3107TRL7PP vs IRFS3006TRL7PP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFS3107TRL7PP بواسطة Infineon و IRFS3006TRL7PP بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFS3107TRL7PP IRFS3006TRL7PP
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET™ planar)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
العلبة D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 240 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
On-Resistance RDS(on) max — 2.1 mΩ (per Mouser snippet)
On-Resistance RDS(on) typ — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg) — 200 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
RθJC Thermal Resistance — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر