IRFS3107TRL7PP vs IRFS3006TRL7PP موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3107TRL7PP بذریعہ Infineon اور IRFS3006TRL7PP بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3107TRL7PP IRFS3006TRL7PP
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET™ planar)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
پلسڈ ڈرین کرنٹ [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
پیکیج D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 240 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
On-Resistance RDS(on) max — 2.1 mΩ (per Mouser snippet)
On-Resistance RDS(on) typ — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg) — 200 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
RθJC Thermal Resistance — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں