IRFS3107TRL7PP vs IRFS3006TRL7PP مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS3107TRL7PP توسط Infineon و IRFS3006TRL7PP توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS3107TRL7PP IRFS3006TRL7PP
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET™ planar)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
جریان درین پالسی [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) —
بسته‌بندی D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 240 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
On-Resistance RDS(on) max — 2.1 mΩ (per Mouser snippet)
On-Resistance RDS(on) typ — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg) — 200 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
RθJC Thermal Resistance — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت