IRFZ34NPBF vs IRF150P220AKMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ34NPBF بواسطة Infineon و IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFZ34NPBF IRF150P220AKMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +175C
Maximum Junction Temperature 175 C —
العلبة TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
حالة RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Part Number — IRF150P220AKMA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر