IRFZ34NPBF vs IRF150P220AKMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ34NPBF بذریعہ Infineon اور IRF150P220AKMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ34NPBF IRF150P220AKMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C
Maximum Junction Temperature 175 C —
پیکیج TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Part Number — IRF150P220AKMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں