IRFZ34NPBF vs IRF150P220AKMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ34NPBF מאת Infineon ו IRF150P220AKMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ34NPBF IRF150P220AKMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C -55C to +175C
Maximum Junction Temperature 175 C —
מארז TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Part Number — IRF150P220AKMA1
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר