IRL40S212ARMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL40S212ARMA1 بواسطة Infineon و IPD320N20N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRL40S212ARMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | 136 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj max] | -55 C to +175 C (Tj) |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 3 |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |