IRL40S212ARMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRL40S212ARMA1 bằng Infineon và IPD320N20N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRL40S212ARMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | 136 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj max] | -55 C to +175 C (Tj) |
| Hộp | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 3 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |