IRL40S212ARMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL40S212ARMA1 بذریعہ Infineon اور IPD320N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL40S212ARMA1 IPD320N20N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family StrongIRFET™ —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 195 A 34 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on)) 1.9 mOhm max —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (PD, Tc) 231 W 136 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj max] -55 C to +175 C (Tj)
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) OptiMOS 3
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 (unlimited) —
FET Type — N-Channel
On-Resistance RDS(on) max — 32 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified for target application
Channel Mode — Enhancement mode
Gate Threshold Level — Normal level (per datasheet title)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں