IRLML2060TRPBF vs IRFML8244TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML2060TRPBF بواسطة Infineon و IRFML8244TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML2060TRPBF | IRFML8244TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | IR MOSFET (HEXFET) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free, halogen-free) |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| مستوى MSL | MSL1 | MSL1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 5.8 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 24 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.4 nC |
| Power Dissipation (PD) max | — | 1.25 W (Ta) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Pin Configuration | — | Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) |
| Qualification | — | Consumer grade |