IRLML2060TRPBF vs IRFML8244TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML2060TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRFML8244TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML2060TRPBF IRFML8244TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
Suhu Hubungan Operasi -55C to +150C —
Kemasan SOT-23 (Micro3, 3-pin) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) IR MOSFET (HEXFET)
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free, halogen-free)
Boson Bebas Yes —
Aras MSL MSL1 MSL1
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
Gambaran Suhu Operasi — -55 C to +150 C (junction)
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Qualification — Consumer grade

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga