IRLML2060TRPBF vs IRFML8244TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2060TRPBF tarafından Infineon ve IRFML8244TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2060TRPBF IRFML8244TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket SOT-23 (Micro3, 3-pin) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) IR MOSFET (HEXFET)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free, halogen-free)
Klorürsüz Yes —
MSL Seviyesi MSL1 MSL1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Qualification — Consumer grade

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin