IRLML2060TRPBF vs IRFML8244TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML2060TRPBF द्वारा Infineon और IRFML8244TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLML2060TRPBF IRFML8244TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
पैकेज SOT-23 (Micro3, 3-pin) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) IR MOSFET (HEXFET)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free, halogen-free)
हैलोजन फ्री Yes —
MSL स्तर MSL1 MSL1
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +150 C (junction)
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Qualification — Consumer grade

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध