IRLZ34NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLZ34NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRLZ34NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
نوع الترانزستور — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
مستوى MSL — Not applicable (through-hole)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر