IRLZ34NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLZ34NSTRLPBF توسط Infineon و IRLZ34NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
نوع ترانزیستور — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
سطح MSL — Not applicable (through-hole)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت