IRLZ34NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLZ34NSTRLPBF מאת Infineon ו IRLZ34NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
מארז D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
סוג טרנזיסטור — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
רמת MSL — Not applicable (through-hole)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר