IRLZ34NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLZ34NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRLZ34NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Paket D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
Transistor Türü — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
MSL Seviyesi — Not applicable (through-hole)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin