IRLZ34NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLZ34NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
MSL لیول — Not applicable (through-hole)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں