IS43TR16256A-125KBL vs K4B4G1646D-BPH90 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43TR16256A-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646D-BPH90 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IS43TR16256A-125KBL | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $19.09 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| معدل البيانات | 1600MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| زمن الوصول CAS | 11 | Programmable up to 14 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| العلبة | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| جهد التغذية | — | 1.35V (DDR3L) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |