IS43TR16256A-125KBL vs K4B4G1646D-BPH90 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43TR16256A-125KBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646D-BPH90 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43TR16256A-125KBL | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $19.09 | — |
| نوع حافظه | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 1600MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| تأخیر CAS | 11 | Programmable up to 14 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| بسته‌بندی | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| سازمان | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35V (DDR3L) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |