IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43TR16256AL-107MBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و H5TC4G63AFR-PBR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
العلامة التجارية ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $5.91
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
حجم الذاكرة 4 Gbit —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
معدل البيانات 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
زمن الوصول CAS 13 11
الواجهة Parallel —
العلبة 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
نوع التركيب Surface Mount —
حالة RoHS Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر