IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43TR16256AL-107MBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और H5TC4G63AFR-PBR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IS43TR16256AL-107MBL H5TC4G63AFR-PBR
ब्रांड ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $5.91
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V 1.35V (1.5V compatible)
डेटा दर 1866 MT/s 1600 Mbps (PC3L-12800)
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Access Time 20 ns —
CAS लेटेंसी 13 11
इंटरफ़ेस Parallel —
पैकेज 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to +95°C (case) 0C to +95C
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
RoHS स्थिति Compliant —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 (BL8) with burst chop (BC4)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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