IS43TR16256AL-107MBL vs H5TC4G63AFR-PBR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43TR16256AL-107MBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और H5TC4G63AFR-PBR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IS43TR16256AL-107MBL | H5TC4G63AFR-PBR |
|---|---|---|
| ब्रांड | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $5.91 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| डेटा दर | 1866 MT/s | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| CAS लेटेंसी | 13 | 11 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) with burst chop (BC4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Total Capacity | — | 4Gb |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| tCK | — | 1.25 ns |
| tRCD | — | 13.125 ns |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Interval | — | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C |
| Package Dimensions | — | 13.5mm x 9.0mm |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| I/O Interface | — | SSTL-15 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |