ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC060N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC060N06NM6ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W 217 W
العلبة PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Configuration Single N-Channel —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) —
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] 90 nC
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر