ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC060N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC060N06NM6ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W 217 W
Paket PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Configuration Single N-Channel —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) —
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] 90 nC
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin