ISC060N06NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC060N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC060N06NM6ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W 217 W
پیکیج PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Configuration Single N-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) —
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] 90 nC
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں