IXDN609YI vs IXDD609SI مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IXDN609YI بواسطة IXYS و IXDD609SI بواسطة IXYS. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IXDN609YI IXDD609SI
العلامة التجارية IXYS IXYS
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
زمن الصعود < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
زمن السقوط < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
العلبة TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
مستوى MSL Level 3 —
حالة RoHS Compliant —
عدد المخارج — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر