IXDN609YI vs IXDD609SI तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IXDN609YI द्वारा IXYS और IXDD609SI द्वारा IXYS. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर IXDN609YI IXDD609SI
ब्रांड IXYS IXYS
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
राइज़ टाइम < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
फॉल टाइम < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
पैकेज TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
MSL स्तर Level 3 —
RoHS स्थिति Compliant —
आउटपुट की संख्या — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

डेटाशीट और संसाधन

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