IXDN609YI vs IXDD609SI השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IXDN609YI מאת IXYS ו IXDD609SI מאת IXYS. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IXDN609YI IXDD609SI
מותג IXYS IXYS
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
זמן עלייה < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
זמן ירידה < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
מארז TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
רמת MSL Level 3 —
סטטוס RoHS Compliant —
מספר יציאות — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר