K3LK4K40CM-BGCP vs K3LK8K80CM-MFCP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3LK4K40CM-BGCP بواسطة Samsung Electronics و K3LK8K80CM-MFCP بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ نشط
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K3LK4K40CM-BGCP K3LK8K80CM-MFCP
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة DRAM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5 SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 96 Gb (12 GB) 48 Gbit (6 GB)
التنظيم 1536M x 64 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
معدل البيانات 6400 Mbps per pin —
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
العلبة 496-ball FBGA 315-ball FBGA (MFCP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة LPDDR5 (JEDEC) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40 C to +105 C (automotive-grade)
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Scheme Per-bank / all-bank refresh —
Power-Down Modes Deep sleep / power-down supported —
Application Segment Mobile, embedded, computing modules —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
جهد التغذية — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر