K3LK4K40CM-BGCP vs K3LK8K80CM-MFCP तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3LK4K40CM-BGCP द्वारा Samsung Electronics और K3LK8K80CM-MFCP द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K3LK4K40CM-BGCP K3LK8K80CM-MFCP
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी DRAM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार LPDDR5 SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 96 Gb (12 GB) 48 Gbit (6 GB)
संगठन 1536M x 64 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
डेटा दर 6400 Mbps per pin —
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
पैकेज 496-ball FBGA 315-ball FBGA (MFCP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
इंटरफ़ेस LPDDR5 (JEDEC) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40 C to +105 C (automotive-grade)
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Scheme Per-bank / all-bank refresh —
Power-Down Modes Deep sleep / power-down supported —
Application Segment Mobile, embedded, computing modules —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
सप्लाई वोल्टेज — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध