K3LK8K80CM-MFCP vs K3LK4K40CM-BGCP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3LK8K80CM-MFCP بواسطة Samsung Electronics و K3LK4K40CM-BGCP بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K3LK8K80CM-MFCP | K3LK4K40CM-BGCP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 96 Gb (12 GB) |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | 1536M x 64 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| الواجهة | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5 (JEDEC) |
| العلبة | 315-ball FBGA (MFCP) | 496-ball FBGA |
| Ball Count | 315 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +105 C (automotive-grade) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| معدل البيانات | — | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Scheme | — | Per-bank / all-bank refresh |
| Power-Down Modes | — | Deep sleep / power-down supported |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, computing modules |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |