K3LK8K80CM-MFCP vs K3LK4K40CM-BGCP तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3LK8K80CM-MFCP द्वारा Samsung Electronics और K3LK4K40CM-BGCP द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung
K3LK8K80CM-MFCP ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3LK8K80CM-MFCP | K3LK4K40CM-BGCP |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 96 Gb (12 GB) |
| संगठन | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | 1536M x 64 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| इंटरफ़ेस | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5 (JEDEC) |
| पैकेज | 315-ball FBGA (MFCP) | 496-ball FBGA |
| Ball Count | 315 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +105 C (automotive-grade) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| डेटा दर | — | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Scheme | — | Per-bank / all-bank refresh |
| Power-Down Modes | — | Deep sleep / power-down supported |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, computing modules |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |